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HiLight激光自动消光比控制技术获美国专利
时间:2022-02-07 00:02 点击次数:
本文摘要:近日,HiLightSemiconductor宣告,公司自研的激光自动消光比控制技术获得美国专利取得一项美国专利。该专利美国专利号10,205,532,即所谓的“双环”发射器掌控对系统环路,专门为成本脆弱且量大的FTTH光通信市场设计。 其在全温下能平稳地自动且精确掌控发射器输出功率和光调制幅度。HiLight回应,该专利在提升设备可靠性的同时可明显减少光网络单元(ONU)用户盒的生产和开发成本。HiLight预计在其他司法管辖区例如中国和日本也将取得该专利的批准后。

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近日,HiLightSemiconductor宣告,公司自研的激光自动消光比控制技术获得美国专利取得一项美国专利。该专利美国专利号10,205,532,即所谓的“双环”发射器掌控对系统环路,专门为成本脆弱且量大的FTTH光通信市场设计。

其在全温下能平稳地自动且精确掌控发射器输出功率和光调制幅度。HiLight回应,该专利在提升设备可靠性的同时可明显减少光网络单元(ONU)用户盒的生产和开发成本。HiLight预计在其他司法管辖区例如中国和日本也将取得该专利的批准后。HiLight已把此专利应用于公司的”Combo”IC芯片上,HiLight的HLC10P0平面收发器芯片和HLC10P1非对称收发器芯片可简化发射器激光器的设置和掌控,芯片应用于光收发器模块或者可必要置放BOSA-on-BoardONU电路板上。

此外,这项技术还可有效地缩短激光器寿命。

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